The redesigned Sym3 chamber environment makes possible process control to within a few atomic layers within chip, chip to chip, and wafer to wafer. The Centris platform delivers the excellent repeatability and high productivity demanded for high-volume manufacturing through system intelligence software that ensures exact process matching among the six etch chambers and between the two plasma clean chambers mounted on the platform.

Situé à l’entrée du centre-ville de Québec au coin des boulevards Charest et Langelier, le projet propose un système de condos créatifs. Plus précisément, la construction de 86 modules individuels sur 5 niveaux qui seront répartis en 70 unités d’habitation. Selon les besoins exprimés par la clientèle, ces unités peuvent être aménagées en studios, 31/2, 41/2, 51/2 et 61/2 pièces et ce, en ayant la possibilité d'ajouter au module de base un demi module ou un module complet. Les futurs acheteurs peuvent donc créer leur espace de vie selon leurs besoins. Pour ce faire, nous utilisons un système structural hybride et novateur alliant le béton, l’acier et le bois massif dans leurs caractéristiques les plus performantes.
Maison de ville (23' x 32') avec sous-sol aménagé, très bien entretenue. Les pièces sont vastes et les quatre chambres possèdent de grands rangements. Au rez-de-chaussée, la cuisine comprend un îlot déplaçable. Cet étage possède également une salle à manger, un grand salon et une salle d'eau. Au sous-sol, on retrouve une grande salle familiale, la quatrième chambre, deux rangements supplémentaires, un atelier ainsi que l'aspirateur central et l'échangeur d'air. Possibilité de convertir l'atelier en salle de bain.
As semiconductor scaling has continued, increasingly rigorous requirements for precision and uniformity in chip fabrication have propelled the first comprehensive redesign of the silicon etch chamber in over a decade. The resulting Applied Centris Sym3 system delivers world-class cross-wafer uniformity with unprecedented within-chip feature control in critical etch applications for high-volume manufacturing at the 1x/10nm node and beyond.
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